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招標(biāo)代理公司（立即查看） 受業(yè)主單位（立即查看） 委托，于2025-07-04在采購(gòu)與招標(biāo)網(wǎng)發(fā)布 華中科技大學(xué)2025年08月政府采購(gòu)意向公開(kāi)（第二批）。現(xiàn)邀請(qǐng)全國(guó)供應(yīng)商參與投標(biāo)，有意向的單位請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系項(xiàng)目聯(lián)系人參與投標(biāo)。 為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購(gòu)信（略）采購(gòu)意向公開(kāi)工作的通知》（財(cái)庫(kù)〔（略）〕（略）號(hào)）等有關(guān)規(guī)定，（略）采購(gòu)意向公開(kāi)（第二批）如下：序號(hào)采購(gòu)項(xiàng)目名稱(chēng)意向編號(hào)采購(gòu)品目采購(gòu)需求概況預(yù)算金額（略）預(yù)計(jì)采購(gòu)日期備注1（略）Y（略）A（略）物理光學(xué)儀器開(kāi)展超快時(shí)序光學(xué)測(cè)量的光譜儀設(shè)備，包括條紋變像管，高靈敏度CCD探測(cè)器和單色儀等部（略），具體參數(shù)要求（略）光譜相應(yīng)范圍覆蓋（略）-（略）nm；時(shí)間（略）辨率優(yōu)于3ps；兼具快掃（（略）-（略）MHz）和慢掃0.1-1MHz兩種模式（略）年（略）月2FIB掃（略）Y（略）A（略）顯微鏡"擬購(gòu)FIB掃（略）1套。主要技術(shù)指標(biāo)：1、離子束鏡筒：液態(tài)Ga離子源；（略）辨率≤3.0nm@（略）kV；加速電壓0.5-（略）KV（（略）V步進(jìn)）；束流1pA-（略）nA；壽命≥（略）μAh；支持實(shí)時(shí)邊切邊看。2、電子束鏡筒：肖特基場(chǎng)發(fā)射燈絲；（略）辨率≤0.7nm@（略）KV、≤1.2nm@1KV（非減速模式）；加速電壓0.（略）-（略）KV（著（略）電壓（略）eV-（略）keV）；束流穩(wěn)定性?xún)?yōu)于0.2%h。3、探測(cè)器：樣品室+鏡筒內(nèi)獨(dú)立二次電子探測(cè)器（鏡筒內(nèi)無(wú)需偏壓）、環(huán)形背散射探測(cè)器、2個(gè)紅外彩色CCD相機(jī)；支（略）同時(shí)成像。4、能譜儀：SDD硅漂移探測(cè)器（（略）mm2，超薄窗）；（略）素范圍Be4-Cf（略）；能量（略）辨率MnKa≤（略）eV、FKa≤（略）e（略）SO（略）:（略））；（略）控制自動(dòng)伸縮。5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月3（略）Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)"擬（略）1套。主要技術(shù)指標(biāo)：1、加工尺寸：支持4、6、8英寸；2、拋光頭轉(zhuǎn)速：最大轉(zhuǎn)速≥（略）rpm；誤差±1%；3、拋光頭采用直驅(qū)電機(jī)。加壓方式：（略）加壓控制；4、拋光頭（略）：8寸拋光頭5zone；6寸拋光頭4zone：4寸拋光頭2zone；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月4（略）Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)（略）1套。主要技術(shù)指標(biāo)：1、最小線寬：≤（略）±（略）nm（最小光柵周期：≤（略）nm）；2、線寬均勻性：≤（略）nm（3σ）@（略）nm（略）辨率；3、線粗糙度：≤（略）nm（3σ）@（略）nm（略）辨率；4、正面對(duì)準(zhǔn)精度≤（略）nm（平均值）；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月5（略）Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)（略）1套。主要技術(shù)指標(biāo)：1、8英寸向下兼容；2、射頻：頻率（略）.（略）MHz，上射頻額定功率≥（略）W，下射頻額定功率≤（略）W；3、配備ALE快速切換閥，響應(yīng)時(shí)間（略）ms；4、（略）總數(shù)可達(dá)8（略），（略）入口配有截止閥；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月6誤碼率（略）析儀Y（略）A（略）參數(shù)測(cè)量?jī)x"擬購(gòu)誤碼率（略）析儀1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、支持2-（略）GBd的碼型產(chǎn)生；2、支持NRZ,PAM4編碼方式；支持PRBS7,PRBS（略）,PRBS（略）,PRBS（略）輸出；3、時(shí)鐘抖動(dòng)小于（略）fs；4、輸出幅度為（略）mV至0.8Vpp單端；（略）mV至1.6V差（略）；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月7電子束蒸鍍機(jī)Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)"擬購(gòu)電子束蒸鍍機(jī)1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、溫度可以高達(dá)（略）攝氏度，誤差為+-1%；2、8”晶圓薄膜沉積均勻性可以達(dá)到σ1.0%,（略）Pts5mmEE。3、設(shè)備可以運(yùn)行最大8”晶圓，并向下兼容；4、設(shè)備預(yù)留多個(gè)功能模塊位置，可以方便升級(jí)，添加其他功能模塊，如磁控濺射、離子刻蝕、PLD等；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月8（略）Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)（略）1臺(tái)。主要規(guī)格參數(shù)：1（略）包括進(jìn)口（略）子泵抽速≥（略）Ls和進(jìn)口渦旋干泵抽速≥3.1Ls，腔體與（略）子泵之間配有氣動(dòng)閘板閥，本底真空度優(yōu)于9E-7Pa；2、靶臺(tái)：靶材尺寸及數(shù)量：φ2英寸×3個(gè)；每個(gè)靶材均可實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)，自轉(zhuǎn)速率≤（略）RPM，由電機(jī)控制；可在公轉(zhuǎn)方向上擺動(dòng)掃描，以實(shí)現(xiàn)激光對(duì)靶材的均勻燒蝕；3、配備進(jìn)口RHEED電子槍?zhuān)娮訕屇芰孔罡呖蛇_(dá)（略）KeV，工作氣壓最高可達(dá)0.4Torr（（略）Pa）；4、配備進(jìn)口ICP離子源，RF電源功率大于（略）w，流量計(jì)（略）sccm；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月9大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制（略）析儀Y（略）A（略）參數(shù)測(cè)量?jī)x"擬購(gòu)大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制（略）析儀統(tǒng)1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、2（略）模擬實(shí)時(shí)帶寬≥（略）GHz；2、2（略）實(shí)時(shí)采樣率≥（略）GSs；3、存儲(chǔ)深度≥（略）M；4、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；5、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）反應(yīng)離子刻蝕機(jī)Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)"擬購(gòu)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)1臺(tái)。主要規(guī)格參數(shù)：1、設(shè)備8英寸并向下兼容；2、可實(shí)現(xiàn)對(duì)Ⅲ-Ⅴ族材料以及硅基材料的低損傷刻蝕；對(duì)SiO2的刻蝕：刻蝕速率（略）nmmin；3、最大刻蝕深度1mm，對(duì)PR的選擇比2.5:1,側(cè)壁傾（略）±2°；4、8英寸范圍內(nèi)刻蝕均勻性±3%；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）Y（略）A（略）參數(shù)測(cè)量?jī)x"擬（略）1套。主要規(guī)格參數(shù)：1、覆蓋8*8陣列芯片的測(cè)試，配置（略）個(gè)SMU（略）；2、任意波形發(fā)生器：（略）Bit，8（略），（略）2G樣點(diǎn)波形存儲(chǔ)深度，采樣率（略）GSs；3、源表：2（略），（略）V，測(cè)量（略）辨率0.1fA（略）nV；4、最小脈寬：（略）ps5、示波器：8個(gè)（略），（略）.5M記錄長(zhǎng)度，2.5G帶寬；6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）頻譜（略）析儀Y（略）A（略）參數(shù)測(cè)量?jī)x"擬購(gòu)頻譜（略）析儀1臺(tái)。主要規(guī)格參數(shù)：1、頻率范圍不小于2hz-（略）.5GHz；2、實(shí)時(shí)頻譜（略）析帶寬不低于（略）MHz；3、總體幅度精度±0.（略）dB；4、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；5、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）等離子體（略）Y（略）A（略）工藝試驗(yàn)機(jī)"擬購(gòu)等離子體（略）1套。主要規(guī)格參數(shù)：1、反應(yīng)腔室1（略）1套；2、下電極1套；射頻電源及匹配器1套，頻率（略）.（略）MHz；3（略）1（略）1套；控制（略）1套；3、選配load（略）；4、選配（略）kHz低頻射頻電源；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）絡(luò)（略）析儀Y（略）A（略）參數(shù)（略）絡(luò)（略）析儀1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、頻率范圍不低于（略）MHz-（略）.5GHz；2、端口數(shù)量4（略）動(dòng)態(tài)范圍（略）dB；3、噪聲電平≤-（略）dBm；4、相位噪聲≤-（略）dBcHz@（略）KHz頻偏；5、跡線噪聲1GHz到（略）GHz幅度0.（略）dB，相位0.（略）°；6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）功率器件（略）析儀Y（略）A（略）功率計(jì)"擬購(gòu)功率器件（略）析儀1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、具有高電壓高電流IV測(cè)量功能，最大電流（略）A，最大電壓3KV，且可在（略）A和3KV之間進(jìn)行自動(dòng)切換；2、超大電流模塊，最大電流±（略）A（脈沖），電流測(cè)量（略）辨率（略）2mA，最大輸出電壓±（略）V，輸出脈沖寬度可設(shè)置范圍為（略）us至0.5ms；3、柵極最大輸出電壓：±（略）V，最大輸出電流：±1A（脈沖模式），±0.1A（DC），最小電流測(cè)量（略）辨率：（略）pA4、高壓模塊性能：最大輸出電壓范圍±3KV，最大輸出電流:±8mA；電流測(cè)量最?。裕┍媛剩裕ゝA；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）金相顯微鏡Y（略）A（略）顯微鏡"擬購(gòu)金相顯微鏡4臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1（略）及變焦比：設(shè)（略），變焦比或變倍比≥（略）倍。2、配備不少于4個(gè)物鏡，放大倍數(shù)及參數(shù)要求如下：3倍鏡頭，放大倍數(shù)范圍需涵蓋（略）-（略），數(shù)值孔徑NA≥0.（略），工作距離WD≥（略）mm（略）倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋（略）-（略），數(shù)值孔徑NA≥0.（略），工作距離WD≥（略）mm（略）倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋（略）-（略）,數(shù)值孔徑NA≥0.（略）,工作距離WD≥（略）mm（略）倍鏡頭，放大倍數(shù)范圍需涵蓋（略）-（略）,數(shù)值孔徑NA≥0.（略）,工作距離WD≥4.5mm3、觀察方式包含但不限于：明場(chǎng)、暗場(chǎng)、偏光、明場(chǎng)+暗場(chǎng)、斜射、陰影浮雕、微（略）干涉；4、最大樣品高度≥（略）mm。5、圖像采集模塊：可采集2D和3D表面形貌圖像，可實(shí)現(xiàn)2D和3D圖像自動(dòng)拼接功能,獲得樣品高倍（略）體形貌；6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）相位噪聲（略）析儀Y（略）A（略）參數(shù)測(cè)量?jī)x"擬購(gòu)相位噪聲（略）析儀1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、相位噪聲測(cè)量載波頻率范圍不小于1MHz-（略）GHz;2、相位噪聲測(cè)量頻偏可達(dá)1GHz；3、可完成測(cè)試功能包括瞬態(tài)測(cè)試、VCO測(cè)試、AM噪聲測(cè)試和Alan方差測(cè)試；4、相位噪聲測(cè)量SSB相位噪聲、雜散信號(hào)、時(shí)間抖動(dòng)；5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有（略）免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后（略）小時(shí)上門(mén)服務(wù)、（略）小時(shí)內(nèi)排除故障。"（略）年（略）月（略）橢偏儀Y（略）A（略）光學(xué)測(cè)試儀器"擬購(gòu)橢偏儀1臺(tái)。主要技術(shù)指標(biāo)：1、測(cè)量能力：全穆勒矩陣（略）個(gè)（略）素、偏振光譜PsiDelta、折射率、厚度、雙折射及介電常數(shù)等；2、光譜范圍：（略）nm-（略）nm；3、膜厚重