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招標(biāo)代理公司（立即查看） 受業(yè)主單位（立即查看） 委托，于2025-06-23在采購(gòu)與招標(biāo)網(wǎng)發(fā)布 DYS-2025-CG198詢價(jià)單-外購(gòu)件詢價(jià)XJ025062300878。現(xiàn)邀請(qǐng)全國(guó)供應(yīng)商參與投標(biāo)，有意向的單位請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系項(xiàng)目聯(lián)系人參與投標(biāo)。 即將開始:（略）J（略）發(fā)布單位:昆明物理研究所最終單位:昆明物理研究所參與方式:公開詢價(jià)出價(jià)方式:一次性出價(jià)付款方式:保證金:0.0（略）聯(lián)系人：（略）：（略）備注:1、接受可原位替換電子（略）器件報(bào)價(jià)，型號(hào)及相應(yīng)技術(shù)規(guī)格書作為附件（略），技術(shù)細(xì)節(jié)及時(shí)與設(shè)計(jì)師溝通，必要時(shí)需提供樣品；2、報(bào)價(jià)需含（略）%增值稅發(fā)票和運(yùn)費(fèi)；其他情況需及時(shí)告知我司采購(gòu)員；3、供應(yīng)商所供產(chǎn)品質(zhì)量符合國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)；4、參與報(bào)價(jià)供應(yīng)商需為生產(chǎn)廠家或代理商，代理商需提供代理證明（不能提供視為無(wú)效報(bào)價(jià)），生產(chǎn)廠家須具有相應(yīng)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)資質(zhì)、質(zhì)量體系，首次合作供方需聯(lián)系采購(gòu)員提供相應(yīng)資質(zhì)證明；5、付款方式:依據(jù)甲方付款流程（略），特殊情況經(jīng)雙方商談確認(rèn)；6、參與報(bào)（略）報(bào)價(jià)蓋章；7、僅接受（略）、昆明物理研究所、昆明（略）第一研究所（含臨時(shí)供方）名錄內(nèi)供應(yīng)商報(bào)價(jià)；8、國(guó)產(chǎn)器件需可提供電子（略）器件“WKB”自查承諾書、電子（略）器件自主可控自查報(bào)告；9、報(bào)價(jià)有效期至少（略）天以上。報(bào)價(jià)開始時(shí)間:（略）-（略）-（略）:（略）:（略）報(bào)價(jià)結(jié)束時(shí)間:（略）-（略）-（略）:（略）:（略）采購(gòu)明細(xì):序號(hào),商品名稱,品類,采購(gòu)數(shù)量,最少響應(yīng)量,規(guī)格型號(hào)1,小信號(hào)二極管,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)LL（略），封裝SOD-（略），VM=（略）V，IF=（略）MA2,PMOS功率管,電力電子（略）器件,8.0個(gè),8.0個(gè),型號(hào)SISA（略）DN-T1-GE3，封裝PowerPAK（略）-8Single3,NMOS功率管,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)NCE（略）K，封裝T（略）-2L，VDS=（略）V，ID=（略）A4,柵極驅(qū)動(dòng)芯,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)LN（略）S，封裝SOP8，（略）V5,串口收發(fā)芯,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)MA（略）ESA，封裝SOP（略）,串口收發(fā)芯,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)MA（略）ESA，封裝SOP（略）,貼片二極管,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)S（略）CM，S（略）CM-M3I，封裝SMCDO-（略）AB，IF=（略）A8,（略）反相器,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)SN（略）AHC1G（略）DBVR，封裝SOT（略）-5Pin9,DSP芯片,電力電子（略）器件,2.0個(gè),2.0個(gè),TMS（略）F（略）ZJZQ，封裝BGAZJZ-（略）P（略）,電源轉(zhuǎn)換芯片,電力電子（略）器件,2.0個(gè),2.0個(gè),型號(hào)TPS（略）PWP，封裝HTSS0P-（略）Pin（略）,EEPROM芯片,電力電子（略）器件,2.0個(gè),2.0個(gè),AT（略）C（略）C-SSHM-T（略）,4（略）隔離芯,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),型號(hào)isow（略）DFMR，封裝SOIC（略）Pin（略）,DCDC電源芯,電力電子（略）器件,8.0個(gè),8.0個(gè),型號(hào)SGM（略），封裝TSOT-（略）-（略）Pin（略）,ADC芯片,電力電子（略）器件,4.0個(gè),4.0個(gè),型號(hào)AD（略）BSTZ，封裝LQFP-（略）,溫度傳感器,電力電子（略）器件,4.0個(gè),4.0個(gè),型號(hào)DS（略）B（略）U-H（略）Y，封裝MSOP-（略）,電壓基準(zhǔn)芯片,電力電子（略）器件,6.0個(gè),6.0個(gè),型號(hào)REF（略）AIDBZR，2.5V基準(zhǔn)，封裝SOT-（略）-3Pin（略）,LDO電壓芯片3.3V,電力電子（略）器件,6.0個(gè),6.0個(gè),型號(hào)RT（略）-（略）GB，固定輸出3.3V，封裝SOT-（略）-5Pin（略）,（略）運(yùn)放,電力電子（略）器件,6.0個(gè),6.0個(gè),型號(hào)SGM（略）S8GTR，封裝SOIC（略）,LDO電壓芯片,電力電子（略）器件,6.0個(gè),6.0個(gè),型號(hào)LT（略）ES8#TRPBF,封裝SO-8，輸出電流1.5A（略）,功率電感（略）uH,電力電子（略）器件,8.0個(gè),8.0個(gè),型號(hào)IHLP-（略）BZ-ER（略）M（略），電流2.2A，高度2mm（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片晶振（略）.（略）MHz,電力電子（略）器件,6.0個(gè),6.0個(gè),型號(hào)TA（略）-I-（略）M（略）-A1B3C3D3E1，封裝（略）貼片4Pin，工作溫度-（略）℃+（略）℃,±（略）ppm（略）,貼片晶振（略）.（略）MHz,電力電子（略）器件,4.0個(gè),4.0個(gè),型號(hào)ABM8-（略）.（略）MHz-D2-T,，封裝（略）貼片4Pin，工作溫度-（略）℃+（略）℃±（略）ppm（略）,貼片晶振（略）.（略）MHz,電力電子（略）器件,4.0個(gè),4.0個(gè),型號(hào)（略）LZEL（略）CSI-（略）.（略）M，封裝（略）貼片4Pin，±（略）ppm（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）Ω，（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片磁珠,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),BLM（略）SG（略）TN1D，封裝（略）,（略）R@（略）MHz，3A，DCR=（略）mΩ（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）KΩ，（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片鉭電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，有極性鉭電容，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）pF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片鉭電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，有極性鉭電容，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）pF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）nF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片鉭電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，有極性鉭電容，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）pF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）KΩ，（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),4.7Ω，（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),1Ω，（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）pF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）.3KΩ,（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）.9KΩ,（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),3.（略）KΩ,（略）V，電阻精度±1%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),0.1uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),0.1uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),1nF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),0.1uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),2.2uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),（略）uF-（略）V-（略）%，封裝（略）,貼片電阻,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),2MΩ，（略）V，電阻精度±5%，封裝（略）,貼片電容,電力電子（略）器件,（略）.0個(gè),（略）.0個(gè),1nF-（略）V-（略）%，封裝（略）址